| ผู้ประดิษฐ์ / ผู้ออกแบบ / ผู้สร้างสรรค์ | นางสาว พัชรนันท์ จันทร์พลอย, นางสาว นภารัตน์ จิวาลักษณ์ และนางสาว อ้อมหทัย ดีแท้ |
| หน่วยงานต้นสังกัดหลัก | คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ทรงสิทธิ/เจ้าของ | มหาวิทยาลัยราชภัฏเชียงใหม่ |
| ประเภทคำขอรับ | อนุสิทธิบัตร |
| เลขที่คำขอ | 2403001279 |
| วันที่ยื่นคำขอ | 6 พฤษภาคม พ.ศ. 2567 |
| สถานะ | อยู่ระหว่างการขอรับจดทะเบียนหรือจดแจ้งข้อมูล |
| เลขที่จดทะเบียน/ทะเบียนข้อมูลเลขที่ | |
| วันที่ได้รับการจดทะเบียน/รับรองการแจ้งข้อมูล | - |
| รายละเอียดผลงาน | ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ (zinc oxide thin films) บนแผ่นควอซต์สามารถเตรียมได้จากเทคนิคโซลเจลที่ใช้ไมโครเวฟ (microwave assisted sol-gel) ประกอบด้วย 4 ขั้นตอนหลักๆ คือ ขั้นตอนการเตรียมสารผสมและการทำปฏิกิริยาด้วยวิธีโซลเจลที่ใช้ไมโครเวฟ การเคลือบผิว การอบ และการเผา โดยการเติมซิงค์อะซิเตท (zinc acetate) ลงในสารละลายผสมระหว่างแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ (ammonium hydroxide) และเอทานอล (ethanol) กวนให้ละลายเข้ากัน ให้ความร้อนสารละลายผสมด้วยไมโครเวฟ กำลัง 100 วัตต์ จนปริมาตรสารละลายเหลือครึ่งหนึ่ง จะได้สารละลายใสและหนืดเมื่อสารละลายเย็นลงแล้วนำไปเคลือบบนผิวของแผ่นควอซต์ จากนั้นนำไปอบให้แห้ง (drying) ด้วยเตาอบ ที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง และนำไปเผา (calcination) ด้วยเตาเผาที่อุณหภูมิ 600 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 3 ชั่วโมง จะได้ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์บนแผ่นควอซต์สำหรับการพัฒนาคุณภาพของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์จะมีการเติมไทโอยูเรีย (thiourea) ยูเรีย (urea) หรือกรดแอสคอฺร์บิก(ascorbic acid) อย่างใดอย่างหนึ่งพร้อมกับการเติมซิงค์อะซิเตทลงไปในสารละลายผสม" |
| รูปภาพผลงาน |
|
งานทรัพย์สินทางปัญญา มหาวิทยาลัยราชภัฏเชียงใหม่
มหาวิทยาลัยราชภัฏเชียงใหม่ ศูนย์แม่ริม (สถาบันวิจัยและพัฒนา ชั้น B2)
อาคารอำนวยการและบริหารกลาง
หมู่ 7 ถนนโชตนา (เชียงใหม่-ฝาง) ตำบลขี้เหล็ก, อำเภอแม่ริม, จังหวัดเชียงใหม่, 50180
โทร: 053-412151 ต่อ 2221,2222 / 089-4348441
E-mail : research@g.cmru.ac.th